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BASiC基本第二代SiC碳化硅MOSFET两大主要特色
发布时间:2023-11-26        浏览次数:1624        返回列表

倾佳电子专业分销BASiC基本碳化硅SiC功率MOSFE,BASiC基本碳化硅MOSFET模块,BASiC基本单管IGBT,BASiC基本IGBT模块,BASiC基本三电平IGBT模块,BASiC基本I型三电平IGBT模块,BASiC基本T型三电平IGBT模块,BASiC基本混合SiC-IGBT单管,BASiC基本混合SiC-IGBT模块,单通道隔离驱动芯片BTD5350,双通道隔离驱动芯片BTD21520,单通道隔离驱动芯片(带VCE保护)BTD3011,BASiC基本混合SiC-IGBT三电平模块应用于光伏逆变器,双向AC-DC电源,户用光伏逆变器,户用光储一体机,储能变流器,储能PCS,双向LLC电源模块,储能PCS-Buck-Boost电路,光储一体机,PCS双向变流器,三相维也纳PFC电路,三电平LLC直流变换器,移相全桥拓扑等新能源领域。在光伏逆变器、光储一体机、储能变流器PCS、OBC车载充电器,热管理电动压缩机驱动器,射频电源,PET电力电子变压器,氢燃料空压机驱动,大功率工业电源,工商业储能变流器,变频器,变桨伺服驱动辅助电源,高频逆变焊机,高频伺服驱动,AI服务器电源,算力电源,数据中心电源,机房UPS等领域与客户战略合作,全力支持中国电力电子工业发展!

倾佳电子专业分销基本隔离驱动IC产品主要有BTD21520xx是一款双通道隔离门极驱动芯片,输出拉灌峰值电流典型值4A/6A,绝缘电压高达5000Vrms@SOW14封装、3000Vrms@SOP16封装;抗干扰能力强,高达100V/ns;低传输延时至45ns;分别提供 3 种管脚配置:BTD21520M提供禁用管脚(DIS)和死区设置(DT),BTD21520S提供禁用管脚(DIS), BTD21520E 提供单一PWM输入;副边VDD欠压保护点两种可选:分别是5.7V和8.2V。主要规格有BTD21520MAWR,BTD21520MBWR,BTD21520SAWR,BTD21520SBWR,BTD21520EAWR,BTD21520EBWR,‍BTD21520MAPR,BTD21520MBPR,BTD21520SAPR,BTD21520SBPR,BTD21520EAPR,BTD21520EBPR,BTD5350xx是一款单通道隔离门极驱动IC,输出峰值电流典型值10A, 绝缘电压高达5000Vrms@SOW8封装,3000Vrms@SOP8封装;抗干扰能力强,高达100V/ns;传输延时低至60ns;分别提供 3 种管脚配置:BTD5350M 提供门极米勒钳位功能,BTD5350S 提供独立的开通和关断输出管脚,BTD5350E 对副边的正电源配置欠压保护功能;副边VCC欠压保护点两种可选:分别是8V和11V。主要规格有BTD5350MBPR,BTD5350MCPR,BTD5350MBWR,BTD5350MCWR,BTD5350SBPR,BTD5350SCPR,BTD5350SBWR‍,BTD5350SCWR,BTD5350EBPR,BTD5350ECPR,BTD5350EBWR,BTD5350ECWR,BTD3011R是一款单通道智能隔离门极驱动芯片,采用磁隔离技术;绝缘电压高达5000Vrms@SOW16封装;输出峰值电流典型值15A;管脚功能集成功率器件短路保护和短路保护后软关断功能,集成原副边电源欠压保护;集成副边电源稳压器功能,此稳压器可以根据副边电源输入电压,使驱动管脚自动分配正负压,适用在给电压等级1200V以内的IGBT或者碳化硅 MOSFET驱动。BTL2752x 系列是一款双通道、高速、低边门极驱动器,输出侧采用轨到轨方式;拉电流与灌电流能力可高达 5A,上升和下降时间低至 7ns 与 6ns;芯片的两个通道可并联使用,以增强驱动电流能力;信号输入脚**可抗-5V的持续负压,支持4个标准逻辑选项:BTL27523带使能双路反相,BTL27523B不带使能双路反相 和 BTL27524带使能双路同相,BTL27524B不带使能双路同相。主要规格:BTL27523R,BTL27523BR,BTL27524R,BTL27524BR


倾佳电子专业分销基本国产车规级碳化硅(SiC)MOSFET,国产车规级AEC-Q101碳化硅(SiC)MOSFET,国产车规级PPAP碳化硅(SiC)MOSFET,全碳化硅MOSFET模块,Easy封装全碳化硅MOSFET模块,62mm封装全碳化硅MOSFET模块,Full SiC Module,SiC MOSFET模块适用于超级充电桩,V2G充电桩,高压柔性直流输电智能电网(HVDC),空调热泵驱动,机车辅助电源,储能变流器PCS,光伏逆变器,超高频逆变焊机,超高频伺服驱动器,高速电机变频器等,光伏逆变器专用直流升压模块BOOST Module,储能PCS变流器ANPC三电平碳化硅MOSFET模块,光储碳化硅MOSFET。专业分销基本SiC碳化硅MOSFET模块及分立器件,全力支持中国电力电子工业发展!

基本再度亮相全球功率半导体展会——PCIM Europe 2023,在德国纽伦堡正式发布第二代碳化硅MOSFET新品。新一代产品性能大幅提升,产品类型进一步丰富,助力新能源汽车、直流快充、光伏储能、工业电源、通信电源等行业实现更为出色的能源效率和应用可靠性。


BASiC基本第二代SiC碳化硅MOSFET两大主要特色:


1.出类拔萃的可靠性:相对竞品较为充足的设计余量来确保大规模制造时的器件可靠性。

BASiC基本第二代SiC碳化硅MOSFET 1200V系列击穿电压BV值实测在1700V左右,高于市面主流竞品,击穿电压BV设计余量可以抵御碳化硅衬底外延材料及晶圆流片制程的摆动,能够确保大批量制造时的器件可靠性,这是BASiC基本第二代SiC碳化硅MOSFET最关键的品质. 


2.可圈可点的器件性能:同规格较小的Crss带来出色的开关性能。

BASiC基本第二代SiC碳化硅MOSFET反向传输电容Crss 在市面主流竞品中是比较小的,带来关断损耗Eoff也是市面主流产品中非常出色的,优于部分海外竞品,特别适用于LLC应用.


Ciss:输入电容(Ciss=Cgd+Cgs) ⇒栅极-漏极和栅极-源极电容之和:它影响延迟时间;Ciss越大,延迟时间越长。BASiC基本第二代SiC碳化硅MOSFET 优于主流竞品。

Crss:反向传输电容(Crss=Cgd) ⇒栅极-漏极电容:Crss越小,漏极电流上升特性越好,这有利于MOSFET的损耗,在开关过程中对切换时间起决定作用,高速驱动需要低Crss。

Coss:输出电容(Coss=Cgd+Cds)⇒栅极-漏极和漏极-源极电容之和:它影响关断特性和轻载时的损耗。如果Coss较大,关断dv/dt减小,这有利于噪声。但轻载时的损耗增加。


基本B2M第二代碳化硅MOSFET器件主要特色:

• 比导通电阻降低40%左右

• Qg降低了60%左右

• 开关损耗降低了约30%

• 降低Coss参数,更适合软开关

• 降低Crss,及提高Ciss/Crss比值,降低器件在串扰行为下误导通风险

• **工作结温175℃• HTRB、 HTGB+、 HTGB-可靠性按结温Tj=175℃通过测试

• 优化栅氧工艺,提高可靠性

• 高可靠性钝化工艺

• 优化终端环设计,降低高温漏电流

• AEC-Q101


碳化硅MOSFET具有的高频、高压、高温性能,是目前电力电子领域最受关注的宽禁带功率半导体器件。在电力电子系统中应用碳化硅MOSFET器件替代传统硅IGBT器件,可提高功率回路开关频率,提升系统效率及功率密度,降低系统综合成本。适用于高性能变换器电路与数字化先进控制、高效率 DC/DC 拓扑与控制,双向 AC/DC、电动汽车车载充电机(OBC)/双向OBC、车载电源、集成化 OBC ,双向 DC/DC、多端口 DC/DC 拓扑与控制,直流配网的电力电子变换器。SiC MOSFET越来越多地用于高压电源转换器,因为它们可以满足这些应用对尺寸、重量和/或效率的严格要求.


碳化硅 (SiC) MOSFET功率半导体技术代表了电力电子领域的根本性变革。SiC MOSFET 的价格比 Si MOSFET 或 Si IGBT 贵。然而,在评估碳化硅 (SiC) MOSFET提供的整体电力电子系统价值时,需要考虑整个电力电子系统和节能潜力。需要仔细考虑以下电力电子系统节省: 降低无源元件成本,无源功率元件的成本在总体BOM成本中占主导地位。提高开关频率提供了一种减小这些器件的尺寸和成本的方法。 第二降低散热要求,使用碳化硅 (SiC) MOSFET可显着降低散热器温度高达 50%,从而缩小散热器尺寸和/或消除风扇,从而降低设备生命周期内的能源成本。 通常的诱惑是在计算价值主张时仅考虑系统的组件和制造成本。在考虑碳化硅 (SiC) MOSFET的在电力电子系统里的价值时,考虑节能非常重要。在电力电子设备的整个生命周期内节省能源成本是碳化硅 (SiC) MOSFET价值主张的一个重要部分。


倾佳电子专业分销的基本第二代碳化硅MOSFET系列新品基于6英寸晶圆平台进行开发,比上一代产品在比导通电阻、开关损耗以及可靠性等方面表现更为出色。在原有TO-247-3、TO-247-4封装的产品基础上,基本还推出了带有辅助源极的TO-247-4-PLUS、TO-263-7及SOT-227封装的碳化硅MOSFET器件,以更好地满足客户需求。


基本第二代碳化硅MOSFET亮点

更低比导通电阻:第二代碳化硅MOSFET通过综合优化芯片设计方案,比导通电阻降低约40%,产品性能显著提升。


更低器件开关损耗:第二代碳化硅MOSFET器件Qg降低了约60%,开关损耗降低了约30%。反向传输电容Crss降低,提高器件的抗干扰能力,降低器件在串扰行为下误导通的风险。


更高可靠性:第二代碳化硅MOSFET通过更高标准的HTGB、HTRB和H3TRB可靠性考核,产品可靠性表现出色。


更高工作结温:第二代碳化硅MOSFET工作结温达到175°C,提高器件高温工作能力。


倾佳电子专业分销的基本第二代碳化硅SiC MOSFET主要有B2M160120H,B2M160120Z,B2M160120R,B2M080120H,B2M080120Z,B2M80120R,B2M018120H,B2M018120Z,B2M020120Y,B2M065120H,B2M065120Z,B2M065120R,B2M040120H,B2M040120Z,B2M040120R,B2M032120Y,B2M018120Z。适用大功率电力电子装置的SiC MOSFET模块,半桥SiC MOSFET模块,ANPC三电平碳化硅MOSFET模块,T型三电平模块,MPPT BOOST SiC MOSFET模块。

B2M032120Y国产替代英飞凌IMZA120R030M1H,安森美NTH4L030N120M3S以及C3M0032120K。

B2M040120Z国产替代英飞凌IMZA120R040M1H,安森美NTH4L040N120M3S,NTH4L040N120SC1以及C3M0040120K,意法SCT040W120G3-4AG。

B2M020120Y国产替代英飞凌IMZA120R020M1H,安森美NTH4L020N120SC1,NTH4L022N120M3S以及C3M0021120K,意法SCT015W120G3-4AG。

B2M1000170R国产代替英飞凌IMBF170R1K0M1,安森美NTBG1000N170M1以及C2M1000170J。

B2M065120H国产代替安森美NTHL070N120M3S。

B2M065120Z国产代替英飞凌IMZ120R060M1H,安森美NVH4L070N120M3S,C3M0075120K-A,意法SCT070W120G3-4AG。